变频电源IGBT的基础原理 交流变频电源

变频电源IGBT的基础原理 交流变频电源IGBT（绝缘层栅双极型晶体管）是有BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（金属材料-金属氧化物-半导体材料场效应管）构成的复合型全控型工作电压驱动器式集成电路工艺，它兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降2个层面的优势。GTR（电力工程晶体管，是一种双极型功率、高原反应压晶体管，其输出功率十分大，因而又被称作超大晶体管，通称GTR）的饱和状态压降低，载流相对密度大，但驱动电流很大；MOSFET的驱动器输出功率不大，电源开关更快，但通断压降大，载流相对密度小。而变频电源电源电路选用IGBT综合性了左右二种电子器件的优势，即驱动器输出功率小而饱和状态压降低。IGBT交流变频电源的性能参数变频电源IGBT的电源开关损耗包含关闭损耗和启用损耗。常温状态，交流变频电源IGBT的关闭损耗和MOSFET类似。其启用损耗均值比MOSFET略小，且它与溫度没有太大的关系，但每提升100℃,其值提升2倍。二种元器件的电源开关损耗和电流量有关，电流量越大，损耗越大。变频电源选用IGBT的优点与MOSFET的BJT对比，变频电源选用IGBT的关键优点如以下内容:1）变频电源IGBT有一个极低的通态压降，且因为它具备出色的电导调配能力和很大的通态电流强度，促使更小的芯片尺寸和更低的功率变成将会。2）MOS栅构造促使IGBT有较低的驱动器工作电压，且只必须简易的外场光耦电路；与BJT和可控硅相较为，它能更非常容易地应用在高工作电压大电流量的电源电路中。3）它有较为宽的操作规程区，且具备比双极型晶体管更优质的电流量传输能力，也是优良的顺向和反方向阻隔能力。

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